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晶體管高頻感應(yīng)加熱電源正取代電子管振蕩電源，成為高頻段員域的主要電源。根據(jù)使用的晶體管類型不同，又分為MOSFET和SIT高頻感應(yīng)加熱電源。隨著新型大功率器件的應(yīng)用，該系列高頻電源將得到進(jìn)一步的發(fā)展。以下介紹功率MOSFET串聯(lián)逆變高頻感應(yīng)加熱電源概況。

1.逆變電路的工作原理：

功率MOSFET串聯(lián)逆變電路的工作原理類似晶閘管串聯(lián)逆變中頻電源。由于功率MOSFET具有自關(guān)斷能力，其逆變電路的工作頻率f與負(fù)載電路的諧振頻率fo相等，負(fù)載電壓電流相位差等于0。這種工作狀態(tài)下，功率MOSFET工作在零電流開關(guān)狀態(tài)下，有利于減小其開關(guān)損耗，顯著提高了電路的效率。

2.功率MOSFET高頻電源的應(yīng)用：

由于這類電源的頻率很高主要用于金屬零件的表面強(qiáng)化處理，特殊情況下可用于細(xì)鋼絲或T尚王要用于金屬零件的表面強(qiáng)化處理

3.功率MOSFET串聯(lián)逆變電路結(jié)構(gòu)：

MOSFET 串聯(lián)逆變高頻電源的電路結(jié)構(gòu)。從圖中可知，其電路結(jié)構(gòu)與晶閘管串聯(lián)逆變中頻電源電路結(jié)構(gòu)相似。整流電路由VRl~VR6組成三相橋式全控整流，輸出直流電壓Ud可調(diào)，用于調(diào)節(jié)輸出功率。整流后的單相直流電經(jīng)濾波后供給逆變電路。逆變電路中Vl~V4采用MOSFET晶體管與VDl一VD4二極管并聯(lián)組成逆變電路。